Descripción
MOSFET canal N de baja resistencia de encendido en encapsulado de montaje superficial SOT23.
MOSFET canal N de baja resistencia de encendido en encapsulado de montaje superficial SOT23.
Peso | 0.1 g |
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Dimensiones | 0.3 × 0.25 × 0.11 cm |
Encapsuado | SOT-23 |
Resistencia de Encendido | 25mOhm @ Vgs = 4.5 Volts |
Voltaje Drenador-Fuente (Vdds) | 20 Volts |
Voltaje Compuerta-Fuente (Vgs) | ±8 Volts |
Corriente de Drenaje Continua | 4.2 Amperos @25°C |
Rango de Temperatura de Operación | -55°C ~ 150°C |
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