MOSFET canal P en encapsulado de montaje superficial SOT23, diseñado especialmente para aplicaciones de bajo voltaje y baja corriente.
| Peso | 0.1 g |
|---|---|
| Dimensiones | 0.3 × 0.25 × 0.11 cm |
| Encapsulado | SOT-23 |
| Resistencia de Encendido | 10Ohm @Vgs=-5 Volts |
| Voltaje Drenador-Fuente | -50 Volts |
| Voltaje Compuerta-Fuente | ±20 Volts |
| Corriente de Drenador Continua | -0.13 Amperios |
| Rango de Temperatura de Operación | -55°C ~ +150°C |
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