Transistor IGBT (transistor bipolar de compuerta aislada) de alta potencia diseñado para aplicaciones de fuentes comutadas, corrección de factor de potencia, inyección de calor por inducción, entre otras.
| Peso | 2.5 g |
|---|---|
| Dimensiones | 1.5 × 0.5 × 4.0 cm |
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