Descripción
MOSFET canal P de orificio pasante con 200V a 11A, con un encapsulado TO-220AB que ayuda a la disipación térmica a niveles de 50W y con una resistencia térmica baja.
MOSFET canal P de orificio pasante con 200V a 11A, con un encapsulado TO-220AB que ayuda a la disipación térmica a niveles de 50W y con una resistencia térmica baja.
Peso | 2.5 g |
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Dimensiones | 1.05 × 0.46 × 3.02 cm |
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