Descripción
Transistor de potencia MOSFET HEXFET canal N de muy baja resistencia de encendido (17.5mOhm).
Transistor de potencia MOSFET HEXFET canal N de muy baja resistencia de encendido (17.5mOhm).
Peso | 2.2 g |
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Dimensiones | 1.0 × 0.5 × 3.0 cm |
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